1. 研究目的与意义（文献综述包含参考文献）

一.课题研究背景及意义

随着计算机、通信技术的发展,低压大电流开关电源越来越成为目前一个重要的研究课题。而效率问题始终是开关电源发展的一个主旋律,同步整流技术的出现,正是顺应了这一发展趋势。从出现至今,国内外许多著名的大公司和研究机构都不断致力于该技术的研究,为高效率二次电源的开发和应用提供了强大的技术基础。因此,深入分析和掌握同步整流技术特点,对于该技术的优化与发展及相关产品的开发具有十分重要的意义。目前,同步整流技术在dc/dc 模块电源领域得到了广泛的应用。随着mosfet设计工业技术的进步,使当今的mosfet的性能大大提高。例如ir公司的mos管irf7821 ,其最大导通电阻仅为9. 1 mΩ ,开关时间小于10ns,栅电荷仅9. 3nc,而且在逻辑电平下驱动即可。同步整流技术几乎可以应用到各种电路拓扑,并且可以与其它技术相结合,从而形成了各具特色的同步整流技术。例如,有源箝位技术与同步整流技术结合,实现了软开关同步整流技术,进一步降低了同步整流 mos 管的开关损耗,效率也得到了进一步的提高。同步整流技术的关键则在于同步整流管的驱动控制上,不同的驱动方式对效率的影响是有很大差别的^[1]。

所谓同步整流是指开关 mosfet管和整流二极管开关同步^[2]。开关变换器的损耗主要有 3 部分: 功率开关管的损耗、开关变压器的损耗和输出高频整流管的损耗。对通讯用二次电源而言,整流管的损耗尤其突出，同步整流技术的出现,正好顺应了这个要求。该技术采用低导通阻抗的功率mos管代替肖管,起整流管的作用 ,使 mos 整流管上的损耗降到肖管损耗的 1/3 以下^[3]。为了提高变换器的转换效率,必须降低整流损耗。采用低导通电阻的 mosfet进行同步整流,是提高变换器效率的一种有效途径^[4]。同步整流器与硅可控整流器（scr）非常相似，但是也有很大差别^[5]。

2. 研究的基本内容、问题解决措施及方案

如何提高效率一直是开关电源变换技术所关注的问题之一，而同步整流电路因为能够减小输出整流损耗而成为研究的热点。本课题旨在从实用的角度出发，对双管正激同步整流变换器进行研究。

本课题的重点是通过查阅并广泛阅读大量中外文献资料了解双管正激变换器的基本结构和工作原理，以及同步整流的概念和应用方法。难点是针对双管正激变换器，应用不同的同步整流驱动方式来实现同步整流，并对各种驱动方式展开讨论、设计变换器的参数、进行仿真分析。

具体内容如下：