多晶半金属锰氧化物的磁电阻与外磁场的响应方程开题报告
2020-05-29 20:18:29
1. 研究目的与意义(文献综述包含参考文献)
本工作是研究多晶半金属lsmo的磁电阻与外磁场的响应方程,半金属锰氧化物la2/3sr1/3mno3(lsmo)具有较高的居里温度,优良的输运性质以及接近100%的自旋极化率,是一种理想的磁电阻材料。
通过对磁性材料磁电阻磁场依赖关系的研究,不仅有助于人们更深入地理解微观的磁电阻机理,同时也将有助于材料的设计和应用。
如能掌握磁电阻与磁场的函数关系,将会使得磁传感器更加精密准确。
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2. 研究的基本内容、问题解决措施及方案
主要的研究方法时候运用微磁学的基本方法和一些电输运机制来建立一个普遍适用的磁电阻方程式mr (h) 微磁学(micromagnetics)是处理亚微米尺度下磁矩相互作用的一种理论方法,是brown于1963年从第一性原理出发,为计算出有限大小的铁磁体的自旋结构所用的方法而命名。
稳定的自旋分布由交换能、磁晶各向异性能、塞曼能以及磁弹性能等总能量的极小值来决定。
这里交换能是电子的全同性所导致的相互作用能,是一种量子力学效应,无经典物理对应的量;各向异性能表示为沿某一方向磁化所需能量与沿最易磁化方向所需能量的差值;塞曼能是外磁场与磁矩的相互作用产生的能量,当磁矩平行于外磁场时,塞曼能最低;磁弹性能可以简单理解为由于应力等因素使得系统的能量发生变化。
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