忆阻器是具有最早的特性的存储器件，由加州大学伯克利分校中国科学家蔡少堂（L.O.Chua）在1971年[1]。

蔡少堂认为，电子学中最基本的四个电路变量是电压（v），电流（i），电荷量（q）和磁通量（φ）。

根据电路理论，已知三个基本双端电路元件可以由这四个变量中的两个定义：由电压和电流限定的电阻器R，由电荷和电压限定的电容C，电流由电感器定义。

电阻器，电容器和电感器三个器件自1830年以来就是众所周知的。

为了完整性考虑，蔡少堂认为应该由第四类基本电路元件的充电量和磁通量来定义。

蔡少堂基于新器件的数学模型显示了忆阻器的名称的性质，即内存电阻的简称，并称学者100多年来由于”失去”了基本电路元件。

但是学术界没有在无源器件的理论中发现这一点，而蔡少堂在他的文章中也只给出了使用有源器件的模拟忆阻器的电路特性。

直到30年后的2008年，惠普（HP：Hewlett-Pa-ckard）实验室的D. B.Strukov等人[2]成功地开发了基于金属-金属氧化物-金属结构的忆阻器元件。

进一步的研究表明，新型器件可以在许多领域，尤其是计算机存储器研究和神经突触网络研究中发挥重要作用，特别是忆阻器纳米级特性有利于摩尔定律的延续，从那时起，关注和研究的电阻器只是逐日增加。

实现忆阻器元件的物理模型与机理： 尽管忆阻性是电路中普遍存在的现象，直到近 年来其应用范围、使用条件等问题才引起学者的关注与讨论。