磁电阻效应（MR），MR是指对通电的金属或半导体施加磁场作用时会引起电阻值的变化。

其全称是磁致电阻变化效应。

[1]在大多数金属中，电阻率的变化值为正，而过渡金属和类金属合金及饱和磁体的电阻率变化值为负。

半导体有大的磁电阻各向异性。

利用磁电阻效应，可以制成磁敏电阻元件，其常用材料有锑化铟、砷化铟等。

磁敏电阻元件主要用来构造位移传感器、转速传感器、位置传感器和速度传感器等。

为了提高灵敏度，增大阻值，可把磁敏电阻元件按一定形状（直线或环形）串联起来使用。

磁电阻效应产生的机理是由于电子在磁场中运动产生洛仑兹力，导致电子沿电流方向发生偏转或沿螺旋线进动，从而使传导电子的散射截面增大，故使其电阻增大。

磁电阻（MR）的定义式为MR=[ρ(H)-ρ(0)]/ρ(0)，式中ρ(H)、ρ(0)分别为有磁场和无磁场情况下的电阻率。

普通金属的磁电阻具有明显的各向异性，也就是说MR取决于电流I与磁场H之间的相对取向θ，当磁场与电场(测量电流I)平行或垂直时，分别称为纵向或横向磁电阻效应，且通常满足以下不等式：ρ(H)(I⊥H)ρ(H)(I∥H)ρ(0)。