1. 研究目的与意义（文献综述包含参考文献）

磁电阻(mr)效应作为一个早就被人们所熟知的现象，指材料对磁场的响应导致的电阻变化。

所有的非磁性金属都具有内在的磁电阻，铁磁金属的磁电阻效应长期以来就被应用于磁传感器[1]。

磁电阻效应产生的机理是由于电子在磁场中运动产生洛仑兹力，导致电子沿电流方向发生偏转或沿螺旋线进动[2-3]，从而使传导电子的散射截面增大，故使其电阻增大。

2. 研究的基本内容、问题解决措施及方案

本课题利用简单的磁畴转动模型，探索具有高自旋极化率的fe3o4薄膜的磁电阻与磁场的依赖关系。

找出磁电阻mr与磁场h之间的函数方程，并根据所得mr方程对fe3o4薄膜磁电阻进行分析解释。

本课题中fe3o4薄膜用脉冲激光沉积（pld）制备，并用四探针法测量样品的室温磁电阻。