1. 研究目的与意义（文献综述包含参考文献）

首先介绍一下磁电阻效应（mr），磁电阻效应就是指在通电的金属或半导体上施加加上一个磁场，此时它的电阻值会发生变化。磁电阻效应大致可以分为几类：正常磁电阻（omr）、各向异性磁电阻（amr）、掺杂稀土氧化物中特大磁电阻（cmr）、磁性多层膜和颗粒膜中特有的巨磁电阻(gmr)和隧道磁电阻（tmr）等。

在过去的20年中，人们不断的发现了金属多层膜和颗粒膜的巨磁电阻（gmr）以及稀土氧化物的特大磁电阻（cmr），这些材料的发现，让磁电子学得到了很大的发展。那磁电子学是研究什么的呢？其核心就是研究、利用和控制自旋极化的电子运输过程。同时磁电子学器件（巨磁电阻材料）在信息存储的领域中也获得了突飞猛进的应用。由于gmr磁头在信息存储运用方面具有很大的潜力，所以人们就对各种材料的磁电阻效应进行深入的研究，促进了磁电阻效应的广泛应用。自从gmr效应被发现以来，磁电阻效应引起了人们的广泛关注，1994年ibm利用gmr效应开发出磁盘读取磁头，大幅提高了磁盘记录密度。1997年11月，holleywell公司宣称gmr可用于随机存取存储器（mram）。这些都是从科学发现到向商品应用快速转换的实例。在此之后，为了满足器件小型化、提高器件灵敏度以及降低能耗的要求，增强样品在低场条件下的磁电阻效应成为一种可行途径。

自1988年发现巨磁电阻（gmr）效应以来[1]，人们在不同体系内开展了磁电阻效应方面的研究工作。随着现代化信息技术迅猛地向前发展，人们对器件的小型化、灵敏度以及低功耗等方面提出了更高的要求。相应地，磁电阻效应（mr）在应用领域也将面临着一些挑战，比如在低磁场作用下磁电阻值不高以及需要大电流来提供工作磁场从而带来大功耗等一些问题。所以在提高低磁场电阻效应方面，各国科学家开展了大量的研究工作，如利用二相纳米复合结构[2,3]、引入磁性势垒[4]或者绝缘势垒[5]等方法均提高了低场磁电阻。

2. 研究的基本内容、问题解决措施及方案

一个无限大的细铁磁体中，磁化强度在长轴的方向上平行排列并形成磁畴，为了计算其自旋分布将所用的方法命名为微磁学，在铁磁体形成的磁畴中，表面会产生自由极，进而引起静磁能的变化，一个稳定的自旋分布，是各能量和取极小值的结果。同理，我们将交换能，磁晶各项异性能，磁弹性能等能量的总和取极小值会得到比较稳定，理想的自旋分布。我们用变分原理推导出的结果，可以有效的帮助我们解决极为复杂的微磁学中积分。

在物理的公式推导中，有时的积分变量不容易计算其结果，我们可以通过变分原理的方法，把复杂的积分变量转换为容易的积分变量，这种方法可以帮助我们解决很多的物理难题，我们研究磁电阻与外磁场的响应方程时是在稳定的自旋分布下，此时交换能、磁晶各向异性能、塞曼能以及磁弹性能等总能量取极小值。

溶胶－凝胶法制备多晶la0.7sr0.3mno3，首先n mol的la2o3溶入稀硝酸中，并将n mol sr(no3)2, 3n molmn(ch3coo2)2#183;6h2o和一定量的乙醇混入溶液中，7n mol 的柠檬酸c6h8o7#183;h2o加入混合液中作为络合剂，并用稀硝酸调整溶液的酸碱度使其ph为2，片刻后加入少许的聚乙二醇（2-5g/100ml）。制得的混合溶液在 80oc 的水浴中持续搅拌，之后再在水浴中逐渐形成干胶。然后再将样品放入120oc烘箱中继续烘干完全形成干胶，之后放入500oc的炉子中退有机，获得反应前驱物。样品研磨压片后，使其在1300oc的空气中烧结24小时，得到la0.7sr0.3mno3陶瓷。将la0.7sr0.3mno3陶瓷切割成条状块材若干，并做好表面清理工作。选取其中的部分样品，在炉子中进行电流退火并降至室温，记录该样品为lsmo-i。另一份样品以同样的条件退火，但不加电流，标记为lsmo-0。