文 献 综 述

一、真空环境下ADP晶体温度控制器概述

ADP晶体，化学式为NH₄H₂PO₄，由于具有更大的非线性光学系数、比较宽的接收角、较高的损伤阀值以及高热容和小热膨胀系数等优良性能而受到国内外专家学者的青睐。各国国家都进行了大量的研究。由于ADP晶体有着极高的温度敏感性、易碎性以及易潮解性的特点。故采用模糊控制技术在真空环境下对晶体进行温度控制^[1]，使其达到目标温度的一种设备。

1.1 真空环境下ADP晶体温度控制器的特点

该温控器的主要特点是能够高精度、高效率、合理的控制ADP晶体温度^[2]，使该晶体在真空环境下任意面上每一点的温度范围能够精确控制在0.1℃以内^[5]，即具有良好的热稳定性。该温度控制器能体现多个方面的优越性^[3]。

有以下几个方面体现：

（1）该温度控制器不易受到因物理、化学、生物等作用而发生损坏。由于工作环境的不同，具备在恶劣环境下正常工作的能力。

（2）该温控器占地面积小，不影响工作效率。提高在固有空间下的设备利用率。

（3）该温度控制器保证运送方便，安装方便，拆卸方便，极大的降低人工工作量，适用于紧急情况下迅速，高效的完成工作。

（4）该温度控制器具备良好的经济效益。能够有非常高的能量利用率并且高效性的完成工作量，工作进度，可以大大降低投入成本，以此获得巨大的经济效率^[4]。