1. 毕业设计（论文）的内容和要求

霍尔元件是应用霍尔效应的半导体。

半导体本身会因为温度的变化导致参数的变化，霍尔元件是由半导体材料制作，所以霍尔元件的相关参数会出现随着外界温度的变化而变化。

本课题研究霍尔元件霍尔系数随温度的变化关系，还可以确定其他半导体特性参数的温度特性等。

2. 参考文献

[1]杨爱春. Ⅳ族非晶半导体薄膜的磁性与电输运研究[D].山东大学,2017. [2]裴娟. FeCo共掺Ge非晶磁性半导体的磁性和电输运研究[D].山东大学,2016. [3]温攀. Ni-SiO_2颗粒膜和Ni薄膜中的电子输运性质研究[D].天津大学,2014. [4]钟逸. 霍尔探头低温标定装置的热分析研究[D].中国科学院研究生院（上海应用物理研究所）,2014. [5]刘昊. 半金属Co_2MnSi与Fe_3O_4薄膜的霍尔效应[D].天津大学,2016. [6]俞笑竹. 新型半导体材料的制备及性能研究[D].上海交通大学,2012. [7]陶小平,孙腊珍.Hg_(1-x)Cd_xTe材料变温特性的实验研究[J].物理实验,2010,30(09):28-30 34. [8]薛玉荣. 小型磁通门传感器的设计与研究[D].哈尔滨工程大学,2010. [9]孙利杰. ZnO薄膜的掺杂和光电性质研究[D].中国科学技术大学,2010. [10]庄铭耀. 高温霍尔测量和应用[D].福州大学,2002. [11]张宝凤.低温强磁场特斯拉计[J].低温与超导,1991(01):12-16.

3. 毕业设计（论文）进程安排

2018-1-8~2018-2-24 查阅资料，完成开题报告和外文翻译 2018-2-25~2018-3-10 完成初步实验方案设计 2018-3-11~2018-4-15 搭建实验系统，并测试 2018-4-16~2018-5-20 完成测试数据分析 2018-5-21~2018-6-2 毕业论文撰写，准备答辩