1. 研究目的与意义（文献综述包含参考文献）

随着全球科学技术的快速发展，半导体技术正在蓬勃发展。

目前半导体是高新技术产业的基础材料之一，它的发展将会促进高速计算、通信、网络技术的发展进步，在科技、生产生活、国民经济和国防等领域占据了战略性的地位。

但是本征石墨烯没有带隙这一点限制了石墨烯[1]在逻辑电路中的应用，这促使研究人员去研究新的二维材料。

2. 研究的基本内容、问题解决措施及方案

（1）研究内容 （1）薄膜厚度与表面能之间的关系 根据实验数据构建二维mos2薄膜的模型并进行结构优化和能带性质计算；使用两种方法(vdw-df和dft-d2)分别计算不同薄膜厚度的mos2薄膜的表面能，得出表面能与薄膜厚度的函数关系。

（2）二硫化钼薄膜与水的相互作用 使用杨氏方程计算二硫化钼薄膜与水的接触角之间的关系；将得到的数据绘成图表，分析结合能与厚度，表面能与厚度，表面张力与厚度以及接触角与厚度的函数关系。

并将得到的结果综合考虑，得到关于二硫化钼的性质推论。