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1. 研究目的与意义及国内外研究现状

近年来, 由于gan基发光二极管(light emitting diode, led)具有发光效率高、响应时间短、光 谱可调范围大、材料无污染、节能环保等诸多优势, 日益受到人们的广泛关注, 并且其应用领域大大扩 展, 涵盖了室内照明、交通信号灯、汽车灯具、全彩 色显示器等诸多领域[1]. 世界各国都在大力支持 和推广高亮度led的研发和应用.为了进一步拓宽 led 的应用领域, 需要研制功率更高、效率更高、 成本更低的led.

led在发光过程中会产生量子限制斯塔克效应，一般情况下该效应会降低电子-空穴复合几率，从而导致器件发光效率下降，对发光器件非常不利。

2. 研究的基本内容

发光二极管的历史及发展现状。

三族氮化物材料及其极性的说明。

3. 实施方案、进度安排及预期效果

4月1日-4月7日：查阅文献了解半导体及led的发展进程及现状。

4月8日-4月15日：查阅文献了解gan等材料的性质及其制备手段。

4月16日-4月23日：查阅文献了解关于led衬底材料的自发极化，压电极化产生的原因及原理。

4. 参考文献

[1] kexiu dong, dunjun chen,a) bin liu, hai lu, peng chen, rong zhang, and youdou zheng .characteristics of polarization-doped n-face iii-nitride light-emitting diodes. appl. phys. lett. 2012 100, 073507

[2] 杜坤(西安电子科技大学）.gan材料的极化特性研究. 2011.6.9