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1. 研究目的与意义及国内外研究现状

通过一系列实验设计模拟，研究algan渐变组分的dbr结构随组分改变而引起的反射率的变化，找到algan渐变组分的dbr结构随组分参数变化的相关规律，并在此规律上，对dbr结构的结构参数进行优化，希望达成：

1、在320nm左右处获得较高的反射率

2、半高宽越宽越好

2. 研究的基本内容

着重研究不同al组分的algan基的dbr的反射率的变化，从中找到其变化规律，寻找一种较好的组分组成。

一、计算周期厚度

在已知中心波长情况下，得出algan渐变组分和aln组分的周期厚度。

3. 实施方案、进度安排及预期效果

一、实行方案：

在导师的指导下，学士软件，完成设计，独立分析，参考已有的研究文献，与其他人的研究结果相结合，论证其他人的结论或提出自己的结论。

二、预期进度安排：

4. 参考文献

[1].晏长岭 赵英杰 钟景昌.半导体/超晶格分布布拉格反射镜 (dbr) 的分子束外延生长[j].半导体学报,2001,22(4):446-450

[2].马钰慧 邱伟彬 苏道军等.半导体激光器高反膜系参数的模拟仿真分析[j].华侨大学学报(自然科学版),2013,34(6):636-639

[3].李超.李雪.许金通等.gan及algan薄膜透射光谱的研究[j].光子学报,2009,38(9):2294-2297