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1. 研究目的与意义及国内外研究现状

双栅级mosfet相对于传统单栅级mosfet在高速度，低功耗方面有更加优良的性能，，近年来人们对于双栅级mosfet的研究更加重视。双栅mosfet是类似于金属 - 绝缘体 -硅 - 绝缘体 - 金属的器件，利用其独特的结构和高载电子迁移率，可以有效抑制闩锁效应，减少源漏漏电流，提高短沟道效应和热载流子提高设备的电流驱动能力和抗辐射能力。

国内外研究现状

由于多种电子部件的集成密度的改进，导致半导体工业经历了快速成长。通常，这种集成密度的改进源于缩小半导体工艺节点。当半导体器件按比例减少时，需要新技术从一代到下一代维持电子部件的性能。

传感器当下的发展方向，向高精度方向发展，向高可靠性，宽温范围发展，向微型化发展，向模糊识别方向发展。

对于新型器件双栅mosfet的研究在国内外深入进行，基本的双栅mosfet结构基于soi材料和器件结构。mos结构的光电特性在一维方向上的研就较多也较深入，但在二维方向上全面的研究则较少。

2. 研究的基本内容

以mosfet所设计的光电传感器，研究其作为mos结构的侧向光伏和双极性电阻效应。

一方面，通过mos结构制造工艺的改进获得更强的光电效应。

另一方面，通过检测手段和方式的提高获得mos结构更全面的数据分布图，并以此为根据分析其作为各种光电器件的应用前景和方向。

3. 实施方案、进度安排及预期效果

2018.12-2019.01完成毕业设计任务书、开题报告；

2019.01-2019.02确定系统整体方案

2019.02-2019.03了解comsol系统操作，确定操作过程

4. 参考文献

[1]han l, song k, mandlik p, wagner s. appl phys lett2010;96:042111-1–1-3.

[2]striakhilev d, nathan a, vygranenko y, servati p,lee ch, sazonov a. j display technol 2006;2:364–71.

[3]gleskova h, wagner s, suo z. j non-cryst solids2000;266–269:1320–4.