1. 本选题研究的目的及意义

碳化硅（sic）作为一种宽禁带半导体材料，具有优异的物理化学性质，如高熔点、高硬度、高击穿电压、高热导率、化学稳定性好等，在高温、高频、高功率电子器件、耐磨涂层、光学器件等领域具有广泛的应用前景。

本选题旨在利用磁控溅射技术，在玻璃衬底上制备sic纳米薄膜，并系统研究其制备工艺参数对薄膜结构、形貌、光学和电学性能的影响，探索sic薄膜在光电器件领域的应用潜力。

1. 研究目的

2. 本选题国内外研究状况综述

sic薄膜的制备方法多种多样，包括化学气相沉积(cvd)、等离子体增强化学气相沉积(pecvd)、分子束外延(mbe)、脉冲激光沉积(pld)和磁控溅射等。

近年来，磁控溅射法由于其设备简单、易于控制、沉积速率高、成膜面积大等优点，在sic薄膜的制备中得到了广泛应用。

1. 国内研究现状

3. 本选题研究的主要内容及写作提纲

本选题主要内容包括以下几个方面：
1.sic纳米薄膜的制备：利用磁控溅射技术，在玻璃衬底上制备sic纳米薄膜，并优化制备工艺参数，如溅射功率、溅射压力、衬底温度、靶材种类等。

2.sic纳米薄膜的结构表征：利用x射线衍射仪(xrd)、扫描电子显微镜(sem)、原子力显微镜(afm)等手段对sic纳米薄膜的晶体结构、表面形貌、厚度等进行表征。

3.sic纳米薄膜的光学性能研究：利用紫外-可见分光光度计(uv-vis)等手段研究sic纳米薄膜的光学透过率、吸收率、光学带隙等。

4. 研究的方法与步骤

本研究将采用以下方法和步骤进行：
1.实验准备阶段：a.查阅相关文献，了解sic薄膜的制备方法、性能及应用等方面的研究现状，掌握磁控溅射技术的基本原理和操作方法。

b.准备实验材料，包括玻璃衬底、sic靶材、氩气等，并对玻璃衬底进行清洗、干燥等预处理。

c.调试磁控溅射设备，确定合适的溅射参数范围，为后续实验奠定基础。

5. 研究的创新点

本研究的创新点主要体现在以下几个方面：
1.探索利用低温磁控溅射技术在低成本玻璃衬底上直接制备sic纳米薄膜，为sic薄膜的大规模制备和应用提供新的思路。

2.系统研究溅射气氛、溅射压力、衬底温度等工艺参数对sic薄膜结构和性能的影响，优化sic薄膜的制备工艺参数，获得高质量的sic纳米薄膜。

3.结合多种表征手段，深入分析sic纳米薄膜的微观结构、光学和电学性能之间的关系，揭示其内在物理机制，为sic薄膜的性能调控和应用提供理论依据。

6. 计划与进度安排

第一阶段 （2024.12~2024.1）确认选题，了解毕业论文的相关步骤。

第二阶段（2024.1~2024.2）查询阅读相关文献，列出提纲

第三阶段（2024.2~2024.3）查询资料，学习相关论文

7. 参考文献（20个中文5个英文）

[1] 魏文华,张倩,范志强,等.衬底温度对磁控溅射sic薄膜结构和光学性能的影响[j].功能材料,2021,52(11):11087-11092.

[2] 冯超,张乐,刘欢,等.磁控溅射sic薄膜的制备及其摩擦学性能研究[j].材料导报,2020,34(12):11769-11775.

[3] 李军,张亚妮,徐均,等.sic薄膜的制备及其应用[j].硅酸盐通报,2020,39(1):237-242.