氮化镓(GaN)作为第三代半导体材料的代表，凭借其宽禁带、高电子迁移率、高击穿电压等优异特性，在光电子器件、高温高频器件等领域展现出巨大的应用潜力。

GaN薄膜的性质受生长条件和后续处理工艺的影响很大，而退火作为一种重要的热处理手段，可以有效改善GaN薄膜的晶体质量、光学和电学性能。

本综述重点关注不同退火温度对GaN薄膜光学特性的影响，首先介绍GaN材料的基本性质以及退火处理的背景，然后回顾近年来国内外在不同退火温度下GaN薄膜光学特性研究方面的进展，包括退火温度对GaN薄膜的表面形貌、光致发光谱、吸收谱、光学带隙的影响，并探讨其影响机制，最后展望未来GaN薄膜光学特性调控的研究方向。

关键词：氮化镓；薄膜；退火温度；光学特性；光致发光

#1.引言
氮化镓（GaN）作为一种直接带隙的III-V族化合物半导体材料，禁带宽度为3.4eV，具有高电子迁移率、高击穿电压、高热导率等优异的物理化学性质，在光电子、高温高频电子器件领域有着广泛的应用前景[1-3]。

GaN材料可用于制备蓝光、绿光、紫外光发光二极管（LED）、激光二极管（LD）、高电子迁移率晶体管（HEMT）等新型半导体器件[4-6]。

GaN薄膜的制备方法主要有金属有机化学气相沉积（MOCVD）、分子束外延（MBE）、脉冲激光沉积（PLD）、溅射等方法[7]。

其中，MOCVD法因其具有生长速度快、薄膜均匀性好、易于实现大规模生产等优点，成为目前制备GaN薄膜最常用的方法之一[8]。

然而，GaN薄膜在生长过程中易产生各种缺陷，如点缺陷、位错等，这些缺陷会影响GaN薄膜的晶体质量和光电性能。

退火处理作为一种重要的热处理手段，可以有效减少GaN薄膜中的缺陷，改善晶体质量，从而提高GaN基器件的性能。