1. 毕业设计（论文）主要内容：

碳化硅（silicon carbide, sic）是一种宽禁带的半导体材料，具有低密度、高硬度、高热导率、高击穿电场强度、高载流子饱和漂移速度、高抗热震性，优异的抗氧化性能等优点。

基于sic 的半导体器件是未来高功率，超高工作温度的半导体器件的首选材料之一。

本论文将采用磁控溅射（magnetron sputtering, ms）制备技术，在si衬底上沉积sic纳米薄膜，并对sic薄膜的结晶性，沉积速率，微观形貌进行研究。

2. 毕业设计（论文）主要任务及要求

1. 使用射频磁控溅射制备技术，以sic靶材为溅射源，在si（111）晶片上溅射沉积sic纳米薄膜，研究磁控溅射各参数对薄膜生长的影响。

2. 对sic薄膜的晶体结构，微观形貌等进行测试研究。

3. 阅读的参考文献不少于15篇（其中近5年外文文献不少于3篇)。

3. 毕业设计（论文）完成任务的计划与安排

第 1-4 周：查阅相关文献资料；在明确毕业论文研究内容的基础上撰写并提交开题报告；
第 5-6 周：学习并掌握相关理论知识及仪器操作，论文开题；
第 7-12 周：进入毕业论文环节，撰写论文初稿；
第 13-16 周：修改并提交毕业论文；
第 17 周：毕业答辩。

4. 主要参考文献

[1] 余东海，王成勇，成晓玲，宋月贤，磁控溅射镀膜技术的发展[J]，真空，2009(46):19-25
[2] Z. Li, D. Ge, L. Yang, X. Liu, Y. Ding, L. Pan, J. Zhao and Y. Li，Facile synthesis and improved photoluminescence of periodic SiC nanorod arrays by SiO2 templates-assisted magnetron sputtering method [J]，Journal of Alloys and Compounds，2012(537):50-53
[3] Z. Li, L. Yang, D. Ge, Y. Ding, L. Pan, J. Zhao and Y. Li，Magnetron sputtering SiC films on nickel photonic crystals with high emissivity for high temperature applications [J]，Applied Surface Science，2012(259):811-815
[4] N.W. Jepps and T.F. Page，Polytypic transformations in silicon carbide [J]，Progress in Crystal Growth and Characterization，1983(7):259-307