1. 研究目的与意义（文献综述）

2. 研究的基本内容与方案

2.1研究的基本内容

了解mosfet机器驱动的发展经历及趋势，分析sicmosfet开关瞬态过程，分析控制脉冲、驱动脉冲及电磁能量脉冲三者间形态属性的关系，提取影响sic mosfet开关瞬态过程的关键参数，设计驱动回路，分析驱动回路参数对sic mosfet的影响并对驱动回路进行优化。

3. 研究计划与安排

1-2周查阅相关文献资料；

3-4周撰写开题报告；

4. 参考文献（12篇以上）

[1] 王旭东, 朱义诚, 赵争鸣,等. 驱动回路参数对碳化硅mosfet开关瞬态过程的影响[j]. 电工技术学报, 2017,32(13):23-30.

[2] 龙根, 罗志清, 查明,等. 100khz低频功放sicmosfet串扰分析与驱动设计[j]. 电力电子技术,2017(8):34-36.