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BiVO4晶面暴露和Pt选择性修饰增强其光催化性能研究任务书

 2020-04-12 15:56:43  

1. 毕业设计(论文)主要内容:

钒酸铋禁带宽度窄,具有可见光响应,是一种很有应用前景的光催化材料,但它导带位不够负(0.03v),所以还原反应能力弱,也可能还原反应是钒酸铋光催化体系的决速步骤,并且被激发的电子和空穴在钒酸铋体内容易复合。

为了解决这一问题,已有相关课题组报道了,通过晶面工程的调控使钒酸铋内部被光激发的电子和空穴定向传输到不同暴露面,达到空间电荷骨架分离的效果,并且通过光沉积法将电子助剂和空穴助剂选择性沉积在不同暴露面,极大程度的提高了光催化性能。

然而钒酸铋的导带位不够负,还原反应速率慢,并且李灿课题组通过实验证明,提出还原反应可能是决速步骤,所以提高还原反应速率对光催化反应速率的提高是很有意义的。

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2. 毕业设计(论文)主要任务及要求

(1)论文主要任务及要求:

1. 探讨水热温度对bivo4合成的影响;

2. 探讨氨水量对bivo4暴露晶面比例的影响;

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3. 毕业设计(论文)完成任务的计划与安排

第一周至第二周 查阅相关文献资料,明确研究内容,了解研究所需条件。确定方案,完成开题报告;

第三周至第八周 探讨暴露不同晶面比例bivo4光催化剂的合成参数;

第九周至第十四周 探讨沉积等量的pt在暴露不同晶面比例bivo4光催化剂的光催化性能;

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4. 主要参考文献

1. Yue, Z.;Ren, G, L.; Lin, C. M.; Can, L.,Significance of Crystal Morphology Controlling in SemiconductorBased Photocatalysis: A Case Study on BiVO4 Photocatalyst.Cryst. Growth Des.,2017, 17, 2923#8722;2928.

2. Sun, Y. F.; Xie, Y.; Wu, C. Z.; Long, R. First experimental identification of BiVO4 center dot 0.4H(2)O and its evolution mechanism to final monoclinic BiVO4. Cryst. Growth Des. 2010, 10,602#8722;607.

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