1. 研究目的与意义（文献综述包含参考文献）

文 献 综 述

1．引言

半导体材料是最重要最有影响的功能材料之一，它在微电子领域具有独一无二的地位，同时又是光电子领域的主要材料[1]。其发展大致经历了以下几个阶段:上世纪中叶，单晶硅和半导体晶体管的发明及其硅集成电路的研制成功，导致了电子工业革命；上世纪70年代初石英光导纤维材料和gaas激光器的发明，促进了光纤通信技术迅速发展并逐步形成了高新技术产业，使人类进入了信息时代; 超晶格概念的提出及其半导体超晶格、量子阱材料的研制成功，彻底改变了光电器件的设计思想，使半导体器件的设计与制造从”杂质工程”发展到”能带工程”,使人类跨入到量子效应和低维结构特性的新一代半导体器件和电路时代[2]。

2. 研究的基本内容、问题解决措施及方案

本课题研究的是通过离子注入技术掺杂后，半导体材料中杂质浓度的深度分布情况。

研究过程中先通过查阅文献，收集关于半导体浓度深度分布的实验参数及结果；再根据给定的实验参数，利用TRIM及Sim软件进行模拟，得出相应的结论，并与实验结果进行比较；若两者有较大差别，则结合实验条件对离子注入过程进行详细分析，探究其产生差异的原因。