衬底温度对AlN绝缘导热镀层沉积过程的研究任务书
2020-04-24 11:16:44
1. 毕业设计(论文)的内容和要求
1、毕业论文的内容 (1)查阅文献50篇以上,其中英文文献不少于30篇(近5年),撰写文献综述1份; (2)翻译近三年内相关外文文献至少1篇; (3)撰写开题报告及开题ppt一份,参加开题答辩; (4)试样准备:准备8个玻璃片、12个p型(100)si片、8个直径为35mm的铝合金试样(经过400,600,1500,2000号砂纸预磨),抛光。
(5)试样清洗:将抛光后的试样分别用酒精清洗3次,每次10min,吹干后备用 (6)查阅文献和书籍,熟悉磁控溅射离子镀设备的结构和特点,了解衬底温度对aln镀层微观性能和绝缘导热性能的影响,掌握aln镀层的制备方法; (7)制定实验设计方案; (8)实验并进行相关检测分析,撰写中期报告一份并进行中期答辩; (9)总结实验结果,并进行相关实验补充; (10)处理数据,对实验结果进行归纳和分析,撰写毕业论文; (11)参加毕业答辩。
2、毕业论文的要求 (1)掌握中外文文献查阅方式; (2)熟悉磁控溅射设备原理及其操作方法; (3)熟悉相关检测设备,并能够独立完成数据处理; (4)能够独立分析解决问题,并完成毕业论文的撰写; (5)要求学生有吃苦耐劳的精神; (6)要求学生论文结构合理、层次清楚、论证充分、格式规范; (7)要求学生能够独立思考,有自己创新的观点。
2. 参考文献
[1]李金刚. PCB板特性阻抗测试方法研究[J]. 电子科技, 2013, 26(11):77. [2]何兵兵,傅仁利等. 无机填料粒子的几何特征对环氧树脂灌封胶导热性能的影响[J]. 中国胶粘剂, 2010,19(7):20-24. [3]李瑞霞. 氮化铝薄膜制备及性能研究[D]. 西华大学, 2009. [4]Slack G A, Tanzilli R A, Pohli R O and Vandersande J W 1987 J. Phys. Chem. Solids 48 647 [5]姜雪峰, 刘清才, 王海波. 多弧离子镀技术及其应用[J]. 重庆大学学报:自然科学版, 2006, 29(10):55. [6]李海翼. 磁控溅射沉积氮化铝薄膜及其光学性能的研究[D]. 南昌大学, 2010. [7]Cheng - Li ang Huang , Kok - Wan Tay , Long Wu. Aluminum nitride films deposited under various sputtering parameters on molybdenum,2013,30(2):141-142.. [8]于春花, 陈希明, 李化鹏. 射频功率对射频磁控反应溅射制备AlN薄膜的影响[J]. 天津理工大学学报, 2007, 23(3):29-31. [9]Q. X. Guo , K. Yahat a, T .Tanak a, at el. Low - temperature growth of aluminum nitride on sapphire substrates. Journal of Crystal Growth.2003 , (257) :123-128 [10]曹昕, 罗晋生, 陈堂胜等. 直流磁控溅射制备用于GaAs MESFET 钝化的AlN的工艺研究. 半导体学报, 2009 , 20(8), 644 - 649. [11]Sproul W, Christie D, Carter D.Control of reactive sputtering processes [J]. Thin Solid Films,2005,491(1- 2):1- 17. [12]Venkataraj S et al . Structural, optical and mechanical properties of aluminium nitride films prepared by reactive DC magnetron sputtering[J]. Thin Solid Films, 2006,502(1- 2):235- 239.
3. 毕业设计(论文)进程安排
2018.12.28-2019.01.02 毕业论文选题 参加讨论 2019.01.03-2019.01.17 文献查阅、文献综述及开题报告撰写 参加讨论 2019.01.18-2019.01.20 开题 参加开题答辩 2019.01.21-2019.01.28 外文文献翻译 参加讨论 2019.03.01-2019.03.10 实验方案制定,实验材料准备 参加讨论 2019.03.11-2019.03.31 前期实验研究,实验结果分析 参加讨论 2019.04.01-2019.04.10 撰写中期报告 参加中期答辩 2019.04.11-2019.04.30 总结实验结果,补充实验 参加讨论 2019.05.01-2019.05.30 撰写毕业论文 参加毕业答辩
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