MOS晶体管的电学特性研究与报警电路设计任务书
2020-04-26 12:57:48
1. 毕业设计（论文）的内容和要求
金属-氧化物-半导体 晶体管（mosfet）是由美国贝尔实验室发明的。现在的超大规模集成电路芯片中绝大部分都是采用mosfet作为基本单元，因为其功耗低，制备工艺简单，特别有利于器件尺寸的减小。intel的大拇指这么大的core i7 cpu里面集成有7.3亿个mosfet。我们日常生活中常说的cmos工艺，ccd探测技术也都是基于mosfet。
本论文旨在阅读大量文献的基础上，概述mosfet晶体管的工作原理，工艺过程，应用领域。结合文献中大量的基于mosfet的ic电路设计思路和实例，自己设计出一个报警电路。并测试其性能参数，如阈值电压，开关时间，等。
本课题主要内容是：
2. 参考文献
1． technology challenges for ultrasmall silicon mosfet#8217;s, r. h. dennard， journal of vacuum science amp; technology 19, 537 (1981)。
2． sic_mosfet短路特性，秦海鸿, 等，南京航空航天大学学报，50，348（2018）。
3． 二氧化钒_vo_2_薄膜生长及其器件应用研究，卜毅, 华东理工大学硕士学位论文（2018）。
3. 毕业设计（论文）进程安排
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18.12-19.01 |
阅读文献，了解MOSFET的发展历程和研究进展并翻译一篇英文文献，并撰写开题报告 |
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19.02-19.04 |
理解MOSFET的工作原理和各性能参数的物理含义。对晶体管参数进行分析，如阈值电压，开关速度，熟悉各种公式的推导及物理含义，为接下来的设计电路找到依据 |
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19.04-19.05 |
设计一个自己的报警电路，调制对电路进行调试，获得相关特征参数。 |
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19.05-19.06 |
论文撰写，迎接毕业答辩 |
