CVD法制备大尺寸单层MoS2 一、二硫化钼（MoS2）薄膜的研究进展与现状 自2004年曼彻斯特大学的两位物理学家德烈#183;盖姆(Andre Geim)和康斯坦丁#183;诺沃肖罗夫(Konstantin Novoselov)成功剥离出石墨烯以来，在很长一段时间里，石墨烯以其优异的电学、光学、力学等特性而在锂离子电池、传感器等方面获得了大量的应用[1]。

然而，石墨烯不属于半导体，不存在带隙，使得其在电子、光电子器件方面的应用受到了极大的限制，且其高额的价格也严重限制了石墨烯在各个领域的应用发展。

因此，科学家们开始研究新的可以代替石墨烯的二维材料，目前，以过渡金属二硫化物（Transition metal dichalcogenide, TMDs）如二硫化钼（MoS2）、二硫化钨（WS2）等为代表的新型类石墨烯材料正在成为各领域科学家们的研究热点。

由于二硫化钼能提供一个可变的能带，单层时为直接间隙（1.9 eV），因此具有无带隙的石墨烯所不能提供的性能，在电学、光学、化学和催化等领域有着非常广泛的应用[2,5,8,12]。

二硫化钼是一种典型的过渡金属层状化合物，在结构上拥有着独特的”2 1”结构，即上下两层为硫原子层，中间为钼原子层的”S-Mo-S”夹心结构，多层二硫化钼由多个单层二硫化钼构成，层与层之间由范德华力作用连接，每层二硫化钼的间距约为0.65 nm[3-4]。

随着尺寸的减小，纳米级的二硫化钼边缘结构变得复杂，具有高不饱和性和高反应活性等特点，使其在催化剂邻域得到广泛应用。

从能带结构来看，单层二硫化钼的带隙为1.91 eV，且为直接带隙半导体，具有较强的荧光发射和光吸收性质，适用于光探测器和发光二极管。

由于二硫化钼层与层之间用于结合的范德华力较微弱，因此层与层之间容易断裂，从而显示出较低的摩擦系数，使其拥有润滑性。

另外，MoS2还是一种高强度的力学材料，其杨氏模量个机械强度超过了传统的钢材料[2,9]。

目前，二维MoS2的研究已经取得了一定阶段性的成果，MoS2薄膜可以通过多种方法获得，例如剥离法、化学气相沉积法（CVD）和物理气相沉积法（PVD）等。