目前电源管理类芯片已经广泛的应用于人们的日常生活中，尤其是在电子设备领域，电源管理芯片在电子设备系统中担负起对电能的变换、分配、检测等职能。

其性能的优劣直接影响系统的性能[1]。

电源管理芯片主要包括两大类，低压差线性稳压器（Low Dropout Regulator）和开关电源（Switch Power Supply）。

LDO 是一种线性稳压器，使用在其线性区域内运行的晶体管或场效应管（FET），从应用的输入电压中减去超额的电压，产生经过调节的输出电压。

开关电源拥有更高的效率和更大的电流输出能力,但外围器件较复杂，包含较大面积的电感，而LDO有更少的外围器件，更加利于集成，输出电压纹波小，噪声低，精度高[2][3]，适合高精度电子设别，适合于片上集成。

在集成电路(IC)技术的发展与进步下，特别是在超低功耗领域，及片上系统(SOC)的出现，消费电子类产品(如笔记本、智能手机和可穿戴设备)的兴起，使得低功耗成为电源产品设计时一个重要的考虑因素，大部分的电子产品会长期处于待机状态，为提高电源效率，电子产品处于待机状态时，电子设备必须具备极低的功率消耗。

而设备被使用时，必须快速从待机状态下恢复过来，进入正常工作状态，甚至很多设备有着多种工作状态以实现低功耗，电子产品使用时间也越来越随机和碎片化；此外，物联网兴起的同时，移动终端要求低功耗的同时对其成本，体积也提出了的要更高求，在移动终端中大多采用低电压供电（如纽扣电池）以降低成本，缩小体积，降低功耗。

这使得针对该类应用场景的供电电源管理芯片（LDO）必须在低电压供电的情况下，快速的响应各种负载或工作状态切换，甚至是在极空载和极重载工作切换下，保持输出电压的稳定。

图1 传统LDO结构图 如图1所示，传统的LDO（Low Dropout Regulator）的功率管（MOS晶体管）工作在线性区，采用高增益的误差放大器，比较输出电压Vout与参考电压Vref之后放大输出。

放大后的电压驱动功率管，控制MOS晶体管的栅极电位，控制晶体管的导通程度，在漏源电压固定的情况下，输出不同的电流。