基于忆阻器的多谐振荡器电路设计任务书
2020-04-28 20:31:11
1. 毕业设计(论文)主要内容:
现有的电子电气设备大都是按照设定的时序,依照相应的步骤实现来功能。多谐振荡器是一种自激振荡电路,该电路在接通电源后无需外接触发信号就能产生一定频率和幅值的矩形脉冲波或方波。它可以产生电子电气设备的时钟信号,从而实现对应的功能。现有的多谐振荡器中使用电容的充放电来产生对应的波形。但是,电容的体积比较大,不能集成在电路中,只能连接到芯片的外部。而忆阻器是一种新兴的电路元件,它的尺寸可以制作到纳米级。同时,它具有良好的集成性,便于实现片上系统。因此,基于忆阻器的多谐振荡器电路比传统的多谐振荡器电路有更好的集成度。本课题拟将设计基于忆阻器的多谐振荡器电路,首先,研究传统的基于电容的多谐振荡器的特点和工作原理,对多谐振荡器的工作机理进行深入的掌握。接着,对忆阻器的特点和工作方式进行深入细致的研究。然后,通过结合忆阻器的工作方式和多谐振荡器的振荡机理,设计基于忆阻器的多谐振荡器电路。最后,通过深入的挖掘基于忆阻器的多谐振荡器电路的特点,设计振荡频率可调节的振荡电路。
2. 毕业设计(论文)主要任务及要求
1. 通过本课题的训练,培养学生动手能力、分析问题及解决问题的能力;
2. 翻译与本课题相关的英文资料(不少于3000中文字符);
3. 查阅文献资料,撰写开题报告(不少于5000中文字符);
3. 毕业设计(论文)完成任务的计划与安排
1-2周,完成开题报告和文献翻译,完成开题答辩;
3-5周,学习多谐振荡器电路的工作原理;
6-7周,学习忆阻器的工作方式和特点;
4. 主要参考文献
[1] m. e. fouda, m. a. khatib, a. g. mosad,and a. g. radwan,“generalized analysis of symmetric andasymmetric memristive two-gate relaxation oscillators,” ieee trans. circuitssyst. i, reg. papers, vol. 60, no. 10, pp. 2701–2708, 2013.
[2] e. kyriakides, j. georgiou a compact, “low-frequency,memristor-based oscillator,”int. j. circ. theor. appl. vol. 43, pp.1801–1806 2015.
[3] d.yu, h. iu, a. l. fitch, y. liang,“a floatingmemristor emulator based relaxation oscillator,”