1. 毕业设计（论文）主要内容：

pzt薄膜因其具有较大的压电系数、优异的介电性能、较小的漏电流密度等优点,被广泛应用于微电子的各个领域,如铁电存储器、振动能量采集器等。磁控溅射技术作为一种制备pzt薄膜的常用技术，具有高速（镀膜速度快）和低温（镀膜时衬底温度低）的优点，被广泛应用于制备高质量薄膜。在磁控溅射镀膜中，靶材作为薄膜的物质源，直接关系到pzt薄膜的质量，故高质量的靶材是获得高质量薄膜的关键。本课题拟采用固相烧结法制备pzt基压电陶瓷靶材，通过优化靶材制备技术，改善靶材的微观结构，并提高靶材的力学性能，最终制备出一种符合磁控溅射要求且能制备出性能优异的pzt薄膜的靶材。

1.文献调研，了解国内外相关研究概况和发展趋势，掌握磁控溅射用靶材的要求及对应的工艺关键；

2.以pzt-5粉末为原材料，对固相烧结法制备pzt基压电陶瓷靶材的工艺参数进行优化研究；

2. 毕业设计（论文）主要任务及要求

1.查阅不少于15篇的参考文献（其中近5年英文文献不少于3篇），完成开题报告；

2.掌握固相烧结法制备陶瓷靶材，以及pzt基压电陶瓷靶材结构与性能的表征方法；

3.掌握磁控溅射法制备pzt薄膜，以及pzt薄膜结构与性能的表征方法；

3. 毕业设计（论文）完成任务的计划与安排

第1－3周：查阅相关文献资料，完成英文翻译。明确研究内容，了解研究所需原料、仪器和设备。确定技术方案，并完成开题报告；

第4—7周：按照设计方案，制备pzt基压电陶瓷靶材；

第8－9周：采用xrd、fe-sem等测试技术对pzt基压电陶瓷靶材的物相、显微结构进行测试；

4. 主要参考文献

[1] 迟庆国. la和ca掺杂pbtio₃磁控溅射靶材制备及薄膜结构表征[d]. 哈尔滨工业大学, 2006.

[2] 王飞. 磁控溅射法制备pzt薄膜研究[d]. 大连理工大学, 2013.

[3] wong l h, lai ys. characterization of boron-doped zno thin films prepared by magnetronsputtering with (100#8722;x)zno–xb₂o₃ ceramic targets[j]. thinsolid films, 2015, 583: 205-211.