MOS晶体管的电学特性研究与报警电路设计 一、金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFET）技术发展及其障碍 金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFET）是微处理器和半导体储存器这样一类超大规模集成电路中最重要的器件。

自上世纪起MOS晶体管在集成电路中的应用使得我们进入大规模集成电路时代，随着技术的不断发展，到如今我们已经实现了超大规模集成电路（VLSI）的广泛应用。

而在现今信息产业的快速发展的背景下，各种现代化设备对于集成电路的规模要求也越来越高。

而越来越大的规模势必将要求晶体管的尺寸要越来越小。

自从1970年时集成电路中器件栅长为10μm到2000年前后采取的0.1μm制造技术，甚至于到2006年Intel以65nm技术来制造新一代处理器，MOS晶体管的制备技术得到了极大的发展。

而这种尺寸的缩减并不是一帆风顺的，在上世纪八十年代，MOS晶体管的尺寸已经发展到了1μm大小，而为了再将其尺寸缩小一半却付出了许多的努力与工作。

先进集成电路的关键是能够通过改进用于制造结构的光刻工艺步骤来减小单个器件和电路的尺寸。

随着电子束和X射线技术的应用，由于这些技术具有更高的分辨能力，器件和电路的尺寸不断减小。

到上世纪八十年代许多VLSI技术的工作就已经采用了尺寸为1-1.25μm集成电路布局。

考虑到电阻效应，当尺寸缩小到1μm时就将不可避免地导致电阻的增加，另一方面各种辐射对于晶体管的影响也不容忽视。