1. 毕业设计（论文）的内容和要求

本课题拟利用PLD技术制备系列HfO2基介电薄膜，通过金属离子掺杂、等离子掺杂等技术调控HfO2基薄膜电学参数，使其适用于NCFET的绝缘栅层。

并结合理论研究结论，探寻最佳工艺参数窗口。

2. 参考文献

1. D.CraciunV.Craciun, Applied Surface Science, 400, 77-80, 2017. 2. Xinqiang Zhang, et. al. ,Journal of Applied Physics 111(99):14102-13904, 2012. 3.Ho Young Kwak, Hyuk Min Kwon, Sung Kyu Kwon, Jae Hyung Jang, Seung Yong Sung, Su Lim, Hi Deok Lee, https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/AMR.658.116. 4. Amirhasan Nourbakhsh，Ahmad Zubair, et. al., DOI： 10.1039/C7NR00088J. 5. Ota, Hiroyuki， Migita, Shinji, et. al., DOI： 10.7567/JJAP.55.08PD01 .

3. 毕业设计（论文）进程安排

2018.12-2019.02，文献调研，翻译，开题报告； 2019.03-2019.04，薄膜制备、表征、分析工作； 2019.05-2019.06，论文撰写，答辩。