1. 研究目的与意义（文献综述包含参考文献）

1.研究的背景和意义

由于化学能源有限，而且带来各种环境问题，太阳能作为安全无污染的新型能源受到了世界各地的广泛关注^[9]。尽管它的应用前景已被广泛接受，但因其传统核心材料较小的光谱响应范围和较低的太阳光利用率使其在实际应用中面临诸多挑战。半导体同质结和异质结是现代半导体器件的重要组成部分，如晶体管、光电探测器、光发射二极管、太阳能电池和激光二极管^[4]。由于存在严重的短通道效应、隧道效应和热逃逸等问题，传统半导体器件的小型化已接近极限^[10]。解决这个问题的一个方法是发展原子薄的半导体异质结。^[1]石墨烯和二维过渡金属双硫化物(tmds)具有优异的电子、光学和机械性能，在过去几年引发了半导体材料的一场革命^[16]。

高质量的过渡金属二硫代化物薄膜及其范德华异质结构以其优异的光电性能、优异的带隙和优异的光吸收能力，^[3]具有极高的柔韧性和较长的使用寿命，在光电器件的制备中具有广阔的应用前景。^[4]设计合适的带结构对这些材料的应用前景至关重要。特别是在广谱光探测器和光伏打应用中，二硫化钼薄膜与单层膜相比更具吸引力^[2]。然而，对于二硫化钼薄膜光响应行为背后的物理学基础知之甚少。在这里，我们展示了一个巨大的光伏响应在薄mos₂薄膜产生一个巨大的光产生载体和增强光电电流形成一个异质结与p型硅衬底。基于mos₂的光伏器件能高效地产生18ma /cm²的高短路光电流值，并能合理地产生高达4.5%的高功率转换效率。

2. 研究的基本内容、问题解决措施及方案

研究的问题：主要综述一下近五年来接近单层的过渡金属二硫化物形成异质结的制备方法，物理特性以及在光电子方面的广泛应用。要求突出重点，突出特性，进一步找到下一步的研究方向。

研究手段：通过阅读大量文献，查找相关资料，总结由不同过渡金属二硫化物薄膜形成异质结的物理结构特性，制备方法以及在光电子器件等方面的应用。先整理提纲，然后分类撰写。