文献综述 参考以往的文献，在Ta2NiS5的制备方法上，已有过尝试。

其一，通过多晶材料通过镍、钽、硫或硒（纯度分别为99.9%, 99.9%和99.999%）在密闭的空管中与过量的硫元素在850℃下反应七天制备得到。

单晶通过将元素在装有少量过量硫元素与100mg I2的石英管（外径18mm，长度20cm）内反应制备得到，然后将管放入温度梯度为950～850℃的炉内。

一周时间内单晶在冷却端(850℃)生长为尺寸为0.05mm#215;1 mm#215;10mm。

晶体的长轴与镍原子和钽原子链（a轴）平行，表观尺寸垂直于层平面（b轴）。

其二，通过将组合物Ta粉（99.9％），Ni粉（ 99.9％）和S粉（99.999％）在真空硅胶管中混合而得到的（~10-5torr）并在650℃下加热7天。

随后发现，晶体在725-850℃的较高温度下更容易生长，略微过量的硫属元素（~1％）。

在这些条件下，在整个反应管中形成小的闪亮黑色针状物。

使用I2作为传输剂并结合温度梯度（875-800℃）可以获得更大的晶体。

两种方法才用了不同的温度制度，但是思路都是利用温度差借助I2气体传输制得纯相。