一 研究背景及意义 二维（2D）材料的分离在过去几年中引起了人们极大的关注。

众所周知，材料的基本性质与原子的组成和排列密切相关。

与块状石墨相比，2D石墨烯具有多种特殊的特性。

然而，具有零带隙（Eg）的原始石墨烯的缺点限制了其在场效应晶体管（FET）和逻辑电路的制造中的发展。

近年来，石墨烯类似物，特别是金属双卤素类化合物，由于其具有良好的带隙和在自然界中大量存在而得到了广泛的研究。

二硫化锡(SnS2)是一种重要的IV#8722;Ⅵ型半导体，其带隙为2.18#8722;2.44eV，其具有很强的光学各向异性，在气敏、光催化[27]、太阳能电池和阳极材料等领域有着广泛的应用[1， 22]。

SnS2是一种具有层状碘化镉(CdI2)结构的n型半导体。

锡原子夹在两个紧密堆积的硫原子之间，形成六方堆积. 具有各种形态的SnS2，例如纳米线，纳米棒，纳米板和纳米花，已经通过自下而上或自上而下的方法制备。

Jing Yu[3]等人提出了一种简单的一步法溶剂热法，用聚乙烯吡咯烷酮（PVP）作为表面活性剂制备SnS2纳米片。

Peng Chen[4]等人通过一步微波辅助技术制备还原的氧化石墨烯（RGO）纳米片支撑的SnS2纳米片。