通过对于MoS2薄膜制备以及表征方面论文的研读，了解了为什么要对MoS2进行大量的开发研究，MoS2的基本特性，应用，目前科研上采用的制备方式，优缺点以及研究进展。

2004年英国曼彻斯特大学Geim A K等[1]利用机械胶带法从石墨中成功剥离单层石墨烯以来，人们开始对新型二维单层纳米材料进行火热的研究。

而二硫化钼（MoS2）作为新型二维纳米材料的一种，因为其有与石墨烯类似的层状结构与独特的性能获得了广泛的关注。

石墨烯是天然的零带隙，虽然可以人工制造带隙，但是需要耗费巨大的精力。

相比于石墨烯，MoS2具有0~500meV的带隙，是天然的半导体，其带隙随着层数的减少而增大，当单层时，MoS2从1.29~1.90eV的间接带隙变为约1.8eV的直接带隙,同时也提高了其载流子迁移率。

MoS2的晶体结构为二维层状结构，即”三明治”夹心结构，单层的MoS2是两层硫原子夹着一层钼原子（S-Mo-S）[2]，其层与层之间靠微弱的范德华力结合在一起[3]，层间距离为0.65nm，还具有较强的光致发光性能。

其物理特性[15]为：具有金属光泽，呈现铅灰或黑色，密度4.9g/cm-3,熔点1700℃，硬度约为1~1.5，晶体结构呈现六角或菱形，电导率1.58#215;10-4 S#183;cm-1. 二硫化钼的制备方法很多，可分为”自上而下”与”自下而上”两大类。

常见的”自上而下”的制备方法有”微机械力剥离法”，”液相超声法”，”锂离子插层法”等。

常见的”自下而上”的制备方法有”水热法”,”热分解法”，”气相沉积法”等。

他们都有各自的优缺点。