1. 研究目的与意义（文献综述包含参考文献）

随着超大规模集成电路产业的发展,对半导体材料的性质及其制备工艺提出了更高的要求。

集成电路技术伴随着单个电子器件尺寸的缩小在不断的发展,而栅介质层的厚度是影响电子器件尺寸的决定性因素之一。

集成电路电子行业普遍使用sio2作为电子器件的栅介质材料,但随着器件特征尺寸的减小,传统sio2栅极介质材料厚度已经接近材料的物理厚度,进而导致器件的功耗大幅增加,难以满足微电子行业器件稳定性要求。

2. 研究的基本内容、问题解决措施及方案

本课题拟利用tcad调节hfo2基铁电材料的参数，通过模拟，分析其电学性质。

课题拟通过模拟探寻适合于制备ncfet的介电材料参数窗口，为实验提供参考。

要求尝试大量参数进行模拟。