1. 研究目的与意义（文献综述包含参考文献）

文 献 综 述

1、选题背景及意义

21世纪世界经济飞速发展，人类社会也面临着新的挑战，日益严峻的能源紧缺以及巨大的环境污染问题严重制约着人类社会可持续发展的脚步。利用半导体光催化技术可以制备具有高活性的半导体光催化材料，这些材料常用于co2转化和污染物降解。^[1]高可见光活性能够充分利用太阳能，是半导体光催化技术投入实际生产应用的基础。^[2]目前，光催化技术领域的核心问题就是制备出具有高量子效率、高可见光利用率和稳定性性能好的廉价光催化剂。^[3]

2. 研究的基本内容、问题解决措施及方案

研究问题：新型石墨型氮化碳复合材料的制备及其光催化性能研究

经过多年对g-c3n4大量的研究，其光催化技术仍难以在实际环境中大规模应用，其主要原因就是g-c3n4光催化剂存在着比表面积小、产生光生载流子的激子结合能高、光生电子#8259;空穴复合严重、量子效率低和禁带宽度较大等缺点，因此不能有效利用太阳光。

氧化锡（sno2）作为一种传统的半导体材料，比tio2和zno具有更好的电子受体，与g-c3n4相比，sno2具有合适的带隙位置，这使得复合g-c3n4/sno2能够形成有效的异质结，其优点是在可见光驱动催化活性的界面上提高光生电子空穴对的分离效率，因此，g-c3n4和sno2的组合符合理想光催化剂的要求。