烧结条件对碳化硅膜性能的影响开题报告
2020-06-09 22:33:58
1. 研究目的与意义(文献综述包含参考文献)
1课题背景 在煤化工,炼油化工,水泥和冶金等工业生产过程中,会排放出大量含有粉尘、氮氧化物、硫氧化物等有害组分的高温气体。
这些气体直接排放会造成大量的热量流失和严重的环境污染。
高温气体除尘是在高温下直接进行气固分离,从而净化气体的一项技术,它可以很大程度上利用气体的显热、潜热和动力能并且有效地再利用气体中的资源。
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2. 研究的基本内容、问题解决措施及方案
sic膜被誉为目前最好的高温过滤材料之一,sic分子结构较为稳定,有较强的si-c共价键,纯质sic膜耐腐蚀性能好,但制备温度高达2100℃(氩气),且膜较致密,气体渗透通量小,难以在高温烟气除尘中规模化应用。
本课题主要探究通过降低碳化硅膜的烧结温度来降低能耗,提高膜的抗腐蚀性能和气体渗透性能,使之能更有效地运用于工厂生产中。
主要有两种研究方法:一是原位反应烧结法,即采用低熔点的无机材料与碳化硅反应,在颗粒颈部形成新结合相,从而实现低温制备sic多孔陶瓷;另一种是聚合物先驱体转化法,即采用先驱体聚合物转化为sic多孔陶瓷,烧结温度低于1300 ordm;c,但第二种方法成本较高,难以规模化应用。
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