1. 毕业设计（论文）的内容和要求

虽然石墨烯具有超高的载流子迁移率和优异的电学性能，但是石墨烯是零带隙的半导体，阻碍了石墨烯在半导体器件方面的应用。

作为可以替代石墨烯的新型二维材料，二维过渡金属硫族化合物(tmds)由于具有固有的半导体特性，优良的电学性能，在光电子器件方面具有很好的应用前景。

而缺陷是调制二维材料性能的一种有效方法，通过研究缺陷对二维tmds电学性能的调控，理解缺陷对二维tmds电学性能的调控机理，为二维tmds在纳米电子器件方面的应用提供指导。

2. 参考文献

1. 张千帆，高磊，田洪镇，徐忠菲，王亚鹏. 二维层状材料过渡金属硫化物. 北京航空航天大学学报，2016, 42(7): 1311-1325 2. 徐位云，汪丽莉，宓一鸣，赵新新. Fe原子吸附对单层WS2结构和性质的影响. 物理化学学报，2017, 33(9), 1765-1772 3. 常伟. 掺杂MoS2电子结构和光学性质的理论研究. [硕士学位论文]. 西安电子科技大学，2015 4. 林春丹，赵红伟，杨振清，邵长金. 单空位缺陷扶手椅型MoS2纳米带结构和电子性质研究. 人工晶体学报，2015, 44(4): 1036-1040 5. 汪文慧. 二维过渡金属硫化物的光学性质与电化学性质探讨. [博士学位论文]. 中国科学技术大学，2016 6. 姚国英，刘清路，赵宗彦. 第一性原理研究MoS2/WS2异质结构的界面电子性质. 功能材料，2017, 9(48): 09120-09135 7. 李伟. 二维过渡金属硫化物及其异质结电子结构调控的第一性原理研究. [博士学位论文]. 河南师范大学，2017 8. 曾范. 二维过渡金属硫族化合物MX2(M=Mo,W; X=O,S,Se,Te)电子结构和弹性性质的第一性原理研究. [硕士学位论文]. 湘潭大学，2015 9. Hu, X; Kou, L; Sun, L. Stacking orders induced direct band gap in bilayer MoSe2-WSe2 lateral heterostructures. Sci. Rep. 2016, 6, 31122. 10. Kang, J.; Tongay, S.; Zhou, J.; Li, J.; Wu, J. Band offsets and heterostructures of two-dimensional semiconductors. Appl. Phys. Lett. 2013, 102, 012111. 11. Lin, Z.; Carvalho, B. R.; Kahn, E. Defect engineering of two-dimensional transition metal dichalcogenides. 2D Mater. 2016, 3. 12. Haldar, S.; Vovusha, H.; Yadav, M. K. Systematic study of structural, electronic, and optical properties of atomic-scale defects in the two-dimensional transition metal dichalcogenides MX2 (M = Mo, W; X = S, Se, Te). Phys. Rev. B. 2015, 92, 235408. 13. Pandey, M.; Rasmussen, F. A.; Kuhar, K. Defect-tolerant monolayer transition metal dichalcogenides. Nano. Lett. 2016, 16, 2234-2239. 14. Kunstmann, J.; Wendumu, T. B.; Seifert, G. Localized defect states in MoS2 monolayers: Electronic and optical properties. Phys. Status Solidi B. 2017, 254, 1600645. 15. Gao, N.; Guo, Y.; Zhou, S. Structures and magnetic properties of MoS2 grain boundaries with antisite defects. J. Phys. Chem. C. 2017, 121, 12261-12269. 16. Enyashin, A. N.; Bar, M.; Houben, L. Line defects in molybdenum disulfide layers. J. Phys. Chem. C. 2013, 117, 10842-10848. 17. Tedstone, A. A.; Lewis, D. J.; O'Brien, P. Synthesis, properties, and applications of transition metal-doped layered transition metal dichalcogenides. Chem. Mater. 2016, 28, 1965-1974.

3. 毕业设计（论文）进程安排

2017.12.11-2017.12.22：确定毕业论文题目，学生选题，指导学生查阅文献； 2017.12.23-2018.1.12：完成文献综述、外文翻译和开题报告等工作；完成本征二维TMDs的能带结构和态密度的计算； 2018.2.26-2018.4.30：对二维TMDs的缺陷模型结构进行几何优化、能带结构和态密度的计算，完成计算数据的分析及整理工作； 2018.5.1-2018.5.31：完成毕业论文的撰写及修改。

2018.6.1-2018.6.15：进一步修改毕业论文并完成毕业论文的答辩。