文献综述 引言 有机#8212;无机杂化钙钛矿材料是可以通过溶液工艺低温制备得到的直接带隙半导体晶体薄膜，具有低缺陷密度、双极传输性能优异、宽光谱吸收以及长载流子扩散距离的特性，是平面异质结构太阳能电池的理想选择。

另外，作为低缺陷密度的半导体晶体材料，其又具有优异的发光特性，发光波长可通过能带工程进行调节，因此有望在发光二极管和激光等器件中得到新的应用。

可以说是极其具有开发潜力和应用前景的”梦幻”材料。

[1] 以CH3NH3PbI3为例，其晶体结构如图1所示，甲胺离子、铅离子和碘离子分别占据钙钛矿晶格的A，B，X位置，形成长程有序的三维自组装晶体。

这种结构的特点是在分子水平上实现了有机基团在无机晶格里的嵌入杂化。

在严格控制成膜条件和结晶过程的基础上，有可能得到高晶体质量的杂化钙钛矿薄膜[2,3]。

低缺陷密度的杂化钙钛矿薄膜带来了一系列的优异性质。

研究表明结晶质量良好的杂化钙钛矿薄膜电子和空穴的迁移率高，并且比较平衡。

作为一个直接带隙半导体[4,5] ，钙钛矿型有机-无机杂化半导体在可见光波段有着很高的宽带吸收效率。

就CH3NH3PbI3而言，其光吸收波长范围可以达到 800nm， 禁带宽度为1.50eV[6]，已经非常接近最优吸光材料≈1.4eV的禁带宽度。