BCT-BZT薄膜掺杂改性研究开题报告
2021-02-24 10:00:42
1. 研究目的与意义(文献综述)
压电材料在电子信息、航天、激光、生物等诸多高新技术领域有着广泛的应用,这些应用主要与这类材料所具有的稳定的化学特性、优秀的物理性能、易于制备成各种形状、具有可任意极化方向的特性紧密相连。微机电系统(mems)等领域的快速发展更是对压电薄膜材料与器件的需求日益增加,目前被大量使用的压电材料以铅基压电材料为主,但是随着pzt材料的深入应用,pzt显示出一系列缺点:较大的矫顽场以及较严重的疲劳特性,并且富含对环境有害的pb元素。在电子器件的尺寸日益小型化的同时,对电性能的要求越来越高,同时对环境污染也越来越重视,研究者们开始关注无铅钙钛矿材料。batio3基材料、铋层状结构陶瓷,钨青铜结构的铌酸盐等无铅压电陶瓷被广泛研究,但是相比pzt压电常数(d33≈600pc/n),它们的压电常数仍然很小(d33≤300pc/n)。
为了寻找能够替代pzt的材料,研究者们对pzt进行了大量的研究,发现压电材料的压电性能的优劣并不取决于是否含有铅,而在于准同型相界(mpb),从而试图找到一种无铅压电材料也具有mpb结构来取代pzt。2009年,刘、任等人报道了无铅ba(zr0.2ti0.8)o3–x(ba0.7ca0.3)tio3(bzt-xbct)压电材料具有类似pzt的准同型相界(mpb)结构,在三相点(即立方相、四方相和三斜相三相交界点)附近显示出高的压电常数d33达到620pc/n,可以比拟pzt的压电性能。因此bzt-xbct材料开始被研究者们重视。然而,这些研究大部分集中在陶瓷。相比bzt-xbct陶瓷材料,bzt-xbct薄膜材料是二维的材料,其结构的特殊性,是的薄膜的研究难点更为突出。从目前的研究结果来看,bzt-xbct薄膜在工艺上面临着晶化程度不高,有机物挥发带来很多缺陷,使得薄膜质量差;晶化温度高,使得其很难与半导体工艺兼容;在结构上无强烈的织构,薄膜在没有织构的情况下,薄膜的电性能是各项同性的,很难在外场作用下得到优异的性能。以上综合原因致使bzt-0.5bct薄膜的压电性能就算是位于mpb上也还是没有预想的好。再者,虽然对mpb附近铁电体的相变和电学性能进行了大量探索与研究,但得出的结果还是不尽相同。对于bzt-xbct的缺点,研究者们采用了一些手段改善,如调节工艺,掺杂改性,或者调节组分。这些手段仅仅是针对陶瓷的一些手法,对于薄膜仍处在初期研究阶段。
本课题采用溶胶凝胶法旋涂工艺制bzt-0.5bct薄膜,研究分别通过mn掺杂和zn掺杂对bzt-0.5bct薄膜的微观结构和电性能的影响,采用xrd对其进行物相分析,afm、sem对薄膜的显微结构表征,利用铁电工作站、交流阻抗分析仪、afm对其介电、铁电及压电性能进行表征,以得到合适的工艺参数。
2. 研究的基本内容与方案
本实验的基本内容是以醋酸钡、醋酸钙、正丙醇锆、乙酸、钛酸四正丁酯和乙二醇甲醚为主要原料,先制备出钛酸钡溶胶,通过旋涂法在(111)pt/tio2/sio2/si(100)基片上制备bzt-0.5bct薄膜,然后进行预热处理与最终退火。研究分别通过mn掺杂和zn掺杂对bzt-0.5bct薄膜的微观结构和电性能的影响,采用xrd对其进行物相分析,afm、sem对其进行显微形貌表征,利用铁电工作站、交流阻抗分析仪及afm对其介电、铁电及压电性能进行表征。
具体实验步骤
(1)bzt-0.5bct薄膜的制备:bzt-0.5bct溶胶的制备:1.将按比例计算所得的醋酸钡和醋酸钙溶入乙酸中,加热搅拌至完全溶解;2.加入一定比例的乙二醇甲醚和正丙醇锆的混合液,加热搅拌并冷却;3. 加入按比例计算所得的钛酸正四丁酯,搅拌;4.过滤。
3. 研究计划与安排
第1-3周:查阅相关文献资料,完成英文翻译。明确研究内容,了解研究所需原料、仪器和设备。确定技术方案,并完成开题报告。
第4-7周:按照设计方案,制备zn/mn-bct-bzt薄膜材料。
第8-12周:利用xrd、sem、afm、铁电、介电、压电等测试手段对所制备的zn/mn-bct-bzt薄膜材料进行物相、结构和电性能表征。
4. 参考文献(12篇以上)
[1] 张艳,王增梅,陈云飞,郭新立,孙伟,袁国亮,殷江,刘治国0.5ba(zr0.2ti0.8)o3-0.5(ba0.7ca0.3)tio3压电薄膜的摩擦、磨损性能[j].物理学报,2013,06:386-392.[2] 赵悦.bzt-bct薄膜双靶磁控溅射制备与电性能[d].哈尔滨工业大学,2013.
[3] 张天栋.锆钛酸钡钙基无铅压电薄膜的微观结构与电性能[d].哈尔滨工业大学,2012
[4] 许晶超.锆钛酸钡钙薄膜界面优化与介电性能研究 [d].哈尔滨理工大学,2013.