1. 研究目的与意义（文献综述包含参考文献）

本文研究主题是硅片的化学机械抛光特性，化学机械抛光技术(chemical mechanical polishing，cmp)是集成电路制造中获得全局平坦化的一种手段，这种工艺的设计，就是专门为了能够获得既平坦、又无划痕和杂质玷污的表面。

1965年，美国的科学家monsanto首次由提出这一方法，最初使用此法是为了获取高质量的玻璃表面。

cmp技术将磨粒的机械研磨作用与氧化剂的化学作用有机地结合起来，可实现超精密无损伤表面加工，能满足集成电路特征尺寸在0.35μm以下的全局平坦化要求。

2. 研究的基本内容、问题解决措施及方案

如何通过机械化学抛光的手段，对制绒硅片进行抛光，提高表面反射率是本课题需要解决的问题。

具体的实验操作暂时拟定以碱抛（naoh）为抛光方法，具体会使用氢氧化钠、抛光剂、制绒硅片、去离子水。

通过水浴加热，在一定温度一定时间下，对硅片进行抛光，对比抛光后硅片反射率数值，找寻最合理有效的抛光条件。