1. 毕业设计（论文）主要内容：

研究不同温度和压强对硅基板上立方碳化硅薄膜的生长的影响。

研究3c-sic薄膜的外延生长机理，探索外延薄膜的沉积速率、表面形貌、显微结构与lcvd工艺参数之间的依存关系。

最终探索外延薄膜的最大沉积速率以及最小缺陷密度的生长工艺条件。

2. 毕业设计（论文）主要任务及要求

1. 查阅不少于15篇的相关资料，其中英文文献不少于5篇，完成开题报告，并完成不少于5000字的英文文献翻译；
2. 探究不同温度和压强对外延碳化硅薄膜的生长的影响；
3. 探究si(111)基板上合适3c-sic(111)薄膜的生长的条件；
4. 采用不同材料测试手段对3c-sic薄膜进行表征，采用x-射线衍射（xrd）分析薄膜样品的物相组成、晶体结构和晶体取向；通过极图（pole figure）分析晶体薄膜的外延生长；利用透射电子显微镜（tem）考察薄膜面内取向度与缺陷密度；利用场发射扫描电子显微镜（fesem）测试材料表、截面形貌及材料厚度并计算沉积速率；通过拉曼光谱(raman)的特征峰进行分析可以确定薄膜的晶体多型结构、缺陷及薄膜外延生长信息。

5. 完成毕业论文，字数不少于1.2万字。

3. 毕业设计（论文）完成任务的计划与安排

1. 第1－2周：查阅相关文献资料，明确研究内容，确定方案，完成开题报告；
2. 第3－5周：以hmds为原料在si(111)基板上制备外延3c-sic(111)薄膜；
3. 第5－13周：对制备的薄膜的结构进行表征，研究不同温度和压强对外延薄膜的沉积速率、表面形貌、显微结构的影响，探索外延薄膜的生长机理及生长条件；
4. 第14－17周：完成并修改毕业论文，准备论文答辩。

5. 18周上传毕业论文。

6. 19周进行答辩。
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   4. 主要参考文献

   
   

   [1] zhang s，tu r，et al. high-speed epitaxial growth of β-sic film onsi(111) single crystal by laser chemical vapor deposition[j]. am. ceram. soc. 2012，95：2782–2784 .

   
   

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