1. 研究目的与意义（文献综述）

铁电材料薄膜化以后，可以与现代的微电子工艺集成，能够应用于多种电子器件，例如铁电存储器、红外探测器、压电传感器和激励器、非线性光学器件等。在各种复杂的电子器件中，铁电薄膜与金属电极接触,产生界面效应，在界面处产生不同的物理性质。界面效应对于块体材料的影响通常是可以忽略的。但是当薄膜达到亚微米级别时，界面效应对材料的结构和性能的影响就变得非常重要了。

2. 研究的基本内容与方案

2.1基本内容

1、研究界面终端对pzt/pt体系的影响

采用material studio软件，构建pzt/pt不同终端接触的界面模型，并通过计算不同模型的界面分离功，考察界面结构对pzt铁电薄膜的晶体结构的影响等，分析得到最稳定的pzt/pt界面构型；

3. 研究计划与安排

第1－3周：查阅相关文献资料，完成英文翻译。明确研究内容。确定技术方案，并完成开题报告。

第4－9周：按照设计方案，构建并优化pzt/pt界面结构模型，通过计算分析得到最稳定构型。

第10－12周：计算pzt/pt界面的电子结构和界面势垒等性质，研究界面对铁电薄膜电流输运的影响机理。

4. 参考文献（12篇以上）

[1] 杨琼. 存储器用铁电薄膜界面和应变效应的第一性原理研究[d]. 湘潭大学, 2013.

[2] luo b, wang x, tian e, et al. mechanism of ferroelectric properties of (baca)(zrti)o₃ from first-principles calculations[j]. ceramics international, 2018, 44(8): 9684-9688.

[3] ribeiro r a p, de lazaro s r. dft/pbe0 study on structural, electronic and dielectric properties of snzr_0.50ti_0.50o₃ lead-free ferroelectric material[j]. journal of alloys and compounds, 2017, 714: 553-559.