1. 研究目的与意义（文献综述）

随着科技的发展，特别是半导体工艺技术的发展，人们对高效功能材料的需求越来越多。量子点和纳米晶因其可以与玻尔激子半径比拟的长度，在电子学和光学方面具有独特性能，而备受青睐^[1]。其中Ⅱ-Ⅴ族、Ⅲ-Ⅴ族和Ⅳ-Ⅴ族这三个系列的量子点较为常见，Ⅱ-Ⅴ族量子点由于制备过程简单，荧光性能优良、光学性质稳定等优势而被广泛用于各领域科学研究^[2]。

cdse纳米材料作为典型的Ⅱ-Ⅴ族纳米半导体，是目前研究的最为成熟的Ⅱ-Ⅴ族半导体。因其具有较大的玻尔半径，量子限域效应很强，从而获得一些新奇的半导体光学、电学和力学性能。所以一直是材料领域研究的一大热点，cdse材料的制备在材料学领域也备受关注^[3-5]。

1993年，murray等^[6]首次在反应体系中引入topo（三辛基氧膦），制备出性能良好的cdse纳米晶。tang等^[7]使用油酸作为配体，溶解于其中的cdo作为镉的前驱体溶液，制出了分散性好，尺寸均匀的cdse qds，asokan等^[8]用dta（二乙烯三胺）和t66（氢化三联苯）代替了topo和ode（十八烯）合成了质量较高的cdse量子点，并使合成成本降低了许多。

2. 研究的基本内容与方案

2.1 基本内容

材料制备：采用非注入一锅煮法制备cu掺杂cdse（cd_1-xcu_xse）纳米晶。

材料表征：对cd_1-xcu_xse纳米晶体进行形貌结构和光学性能测试，用tem、xps等表征手段表征cu掺杂浓度对所合成纳米晶体的微观形貌和化学组成，用uv-vis和pl光谱和吸收光谱分析cu掺杂浓度对所合成纳米晶光学性能的影响。

3. 研究计划与安排

第1－3周：查阅相关文献资料，完成英文翻译。明确研究内容，了解研究所需原料、仪器和设备。确定技术方案，并完成开题报告。

第4－8周：按照设计方案，配置不同铜掺杂浓度的cdse前驱体溶液，制备cd_1-xcu_xse纳米晶体，去除在反应中生成的其他副产物如cuse等。

第9－12周：采用tem、xps、uv-vis和pl光谱和吸收光谱等测试手段分析表征cu掺杂对所合成纳米晶体的微观形貌和光学性能的影响；

4. 参考文献（12篇以上）

[1]严伟. 纳米znse、cdse、cu₂se的合成及相关性质的研究[d].重庆：重庆大学,2009.

[2]马诗瑶,罗沙,王艺凝,岳桐,赵丹.水热法制备cdse量子点及其在细胞成像上的应用[j].绿色科技,2017(10):223-226.

[3]w.u.huynh, j.j.dittmer, a.p.alivisator. hybrid nanorods-polymer solarcells[j].science,2002,295:2425.