1. 前言 随着人类社会的进步和发展工业，交通领域的飞速发展，能源消耗持续增长，因此而带来的能源短缺的问题日益凸显。

传统使用的白炽灯由于能源使用效率低使用时间短等问题逐渐被新型的WLED所取代。

白色发光二极管（w-LEDs）由于发光效率高、节能、安全、可靠性好、寿命长、环境友好等优点，引起了人们的高度关注和重视，成为固态照明领域的研究热点[1]。

传统的白色发光二极管是通过蓝光In GaN芯片结合商业黄色荧光粉获得，但是传统方法制备的产品存在显示指示低和发光效率不足等缺点，单一基质白光荧光粉能克服混合荧光粉流明效率和色彩还原性影响较大的缺陷，提高流明效率和色彩还原性能。

本文主要通过合成Dy3 离子掺杂荧光粉以望得到单基质白光荧光粉，研究其在白光二极管方面的潜在应用。

2.白光荧光粉研究进展 2.1适用于蓝光发射半导体芯片激发的荧光粉 蓝光和黄光的组合可以形成白光。

目前商用的白光LED主要是由蓝光LED芯片和钇铝石榴石(YAG)黄色荧光粉组合而成，成本低且效率高[2]。

Jang等[3] 研究表明,当掺杂0.8的Tb3#160; 时, Y3Al5O12:Ce3 与InGaN芯片组装成的WLED,其显色指数由71提高到80;而共掺杂Pr3 时,CRI则达到83。

Park等[4]研究了Sr3SiO5:Eu2 体系的发光,样品在蓝光激发下发射570nm黄光,与InGaN蓝光芯片成WLED,光效2032ml/w,色坐标(0.37,0.32),#160;但显色指数却只有64, 原因是缺少绿色与红色发射。

经过共掺杂Ba2 后,样品发射峰红移至585nm。