低温共烧陶瓷技术(Low Temperature Co-fired ceramic，LTCC)源于美国休斯公司在1982年开发的一种新型材料技术，是集互联，无源器件集成与封装于一体的多层陶瓷技术，它涉及微电子学、材料科学、机械科学、通信工程等多个领域。低温共烧陶瓷技术为电子产品的小型化、薄型化提供了良好的解决方案，因此成为了近年来新兴的发展方向。

无源元器件的集成化一直都是电子元器件领域的难题，低温共烧陶瓷技术被认为能够很好的打破这个瓶颈，为无源电子元件的集成和高密度电子封装提供良好的平台。LTCC技术是集互联、无源元件和封装于一体的多层陶瓷制造技术，其基本原理是将多层陶瓷元件与多层电路图形技术相结合，利用低温烧结陶瓷与金属内导体在900℃以下共烧，在多层陶瓷内部形成无源元件和互联，制成模块化集成器件或三维陶瓷基剁成电路。本课题的主要内容是研究高介电玻璃陶瓷复合粉料对流延生料带及其烧结性能的影响。课题需要完成的工作有：

（1） 查阅与本课题相关的最新的研究内容；

（2） 研究球磨工艺对玻璃粉料及其流延生料带的表观形貌、力学性能烧成性能的影响，并进行模型设计。

一、LTCC技术简介

低温共烧陶瓷技术是无源元器件集成化和高密度封装的关键，于1982年由美国休斯公司开发出来^[1]。它沿用了厚膜技术，把浆料通过流延等工艺制成生料带，利用激光打孔或冲孔、微孔注浆、丝网印刷等工艺制备出所需的电路图形，将电容、电感、电阻等无源元件置于基板上或其内部，并在850~900℃下一与基板、电极材料一次烧成，从而在降低了生产成本的同时，也提高了电路的集成密度和数字处理能力。因此，在设计灵活性、可靠性和布线密度等方面有着巨大的潜能^[2.3]。图1-1展示的是一个典型的LTCC基板。

图1-1 典型LTCC基板

与低温共烧陶瓷相对的是高温共烧陶瓷（high temperature co-fired ceramics,简称HTCC）。目前，较为成熟的是采用氧化铝多层陶瓷基板，烧结温度为1500-1700℃，需要使用Mo、W、Mo/Mn等高电阻率，高熔点的金属材料作为导线，这样就十分不利于高密度布线^[4]。除此之外，氧化铝（96%）的介电常数约为9.4，热膨胀系数约为7.0#215;10^-6/℃，而硅片的热膨胀系数为4.2#215;10^-6/℃，两者间的封接应力较大。而LTCC一般采用的是低熔点、高电导率的Cu、Ag和Au,它们的熔点在1000℃左右。陶瓷基片的组成成分是可以变化的，使得热膨胀系数、介电常数等可以在一定的范围内调整^[5]。另外，银进行布线不会在烧结中被氧化。

由此可见，LTCC技术在结合了厚膜技术和HTCC技术特点的同时,摒弃了两者的一些缺点。图1-2比较这三种技术特点^[6]。