1. 研究目的与意义（文献综述包含参考文献）

文 献 综 述

1.综述

随着信息时代的到来，微电子技术，尤其是以半导体材料与器件研究为核心的相关技术得到了飞速的发展。随着传统微电子技术逐渐走向瓶颈，作为新一代信息技术的关键部件，各种短波长半导体光电导器件（如发光二极管（led）、激光二极管（ld）和光探测器等）在相关领域得到了广泛的关注。这类器件在提高光信息存储密度和读取速度、发展光通信技术以及短波长光探测等方面都能发挥重要的作用。

2. 研究的基本内容、问题解决措施及方案

本课题要研究的问题：

zno是ii-vi 族的宽禁带半导体材料(室温下的禁带宽度为3.37 ev）。zno的激子结合能高达60mev，远远高于gan。因此它很容易获得紫外光发射，是一种优秀的半导体材料。zno拥有三种晶体结构，同时包含极性和非极性结构。

本课题拟采用脉冲激光沉积（pld）分别在c面及r面蓝宝石衬底上生长zno薄膜，在不同的温度下生长出极性和非极性的zno薄膜。通过实验获得两种薄膜的xrd，光学透射谱等图像，由实验数据对其物理性质进行一定的研究，并比较得出取向对zno薄膜物性的影响。