ZnO:P薄膜的光学与电学性质研究任务书
2020-04-16 15:17:25
1. 毕业设计(论文)的内容和要求
zno薄膜是一种具有优异特性的第三代化合物半导体材料。
在室温下具有3.37ev的禁带宽度,且具有较大的激子束缚能,这使得其成为一种制备短波长光电器件的材料而备受关注。
zno材料共有3种晶体结构,即六角纤锌矿结构、立方岩盐矿结构和立方闪锌矿结构。
2. 参考文献
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3. 毕业设计(论文)进程安排
2015.12-2016.01,文献调研,开题; 2016.03-2016.04系统搭建、测量及数据分析; 2016.05-2016.06论文撰写,答辩。