文献综述 1. 前言 1.1. 课题背景和意义 目前，半导体技术的出现及发展极大的改变了人类的生产和生活方式。

半导体材料已经历经了四代发展，第一代半导体以Si、Ge为代表；第二代半导体材料以GaAs为代表；由于第二代半导体在很多方面都无法达到人类的需求，严重制约了现代科技与信息的发展，第三代半导体应运而生，主要以高温化合物材料如AlN、GaN为代表。

AlN作为第三代半导体，在各个方面得到了极为广泛的应用。

AlN在自然与科技方面有着许多潜在的优良性能，例如化学稳定性极高、硬度大、热导率高（320 W/m#8226;K）、电阻率大、禁带宽度大（6.2 eV）、热膨胀系数低（4 ppm/K）和表面声波传播速率高（5.67 km/sec）等等。

优异的热、电及机械性能使得AlN镀层在包括半导体电子封装等电学及光学应用方面广受青睐[1]。

研究数据显示[2]，AlN的介电系数在8～9之间，作为绝缘材料特别理想，所以可以应用在高温器件中，例如AlN就可以代替传统材料SiO2，作为绝缘层。

AlN还可以用在探测器、真空紫外光源、太阳能电池增透膜以及大功率高温电子器件封装等等。

所以研究AlN的镀层的生长意义重大。

1.2. 氮化铝的研究进展 近来，人们开始对AlN这种材料极为关注，同时也进行了大量的研究，但是由于Al非常的活泼，极容易被氧化，很难得到高质量的AlN，所以要想得到纯的AlN材料，必须在高度无氧的环境下。

1.2.1. 氮化铝国外研究进展 GauravShukla等[3]采制备出了C轴择优取向的AlN镀层，所采用的方法是脉冲激光沉积法，环境条件是室温，改变了氮气分压。