文 献 综 述 1.前言 目前应用最广泛的半导体材料是 Si，它的发展始于上世纪 50 年代，其器件的稳定性、抗辐射性的推动了集成电路电子工业以及 IT 行业的快速发展。

第二代半导体材料砷化镓（Ga As）等则从上世纪 90 年代开始发展，其感光性能比 Si 等材料突出，对光电子领域的发展起到了重大作用，Ga As 材料制造的发光二极管（LED）以及激光器（LD）在光通讯与信息处理的方面取得了广泛的应用。

微电子和光电子技术的迅速发展得益于 Si 以及 Ga As 等第一代和第二代半导体材料的迅速发展，这两代半导体材料的物化性能具有局限性，限制了材料在器件上应用的上限。

随着科学技术的进步，对半导体材料提出了更高的要求，需要耐更高温，大功率，高频率以及其他化学性能的新一代半导体材料，而碳化硅（Si C）等第三代半导体材料能满足这些要求，受到了广泛的关注与研究。

第三代半导体材料主要有 Si C、Al N、Ga N 等 IV-IV、III-V 系化合物。

与前两代半导体材料相比，这些材料的禁带宽度较大，能承受更大的电场强度，称之为宽禁带半导体材料。

由于 Si C 具有这些优异的物理以及化学性能，能适应更恶劣的应用环境，如高温、高磁场、大功率、腐蚀性、高频率等方面，这些性能都是 Si C 半导体材料具有更广泛的应用。

碳化硅单晶具有良好的高温整流特性和较高的抗幅射性，也具有良好的温差电效应、光电效应、场致发光以及电子发射等珍贵性能。

Si C 晶体材料既可以作为导电型衬底材料也可以作为半绝缘型的衬底材料。

Si C 的宽带隙性能可以应用在抗辐射器件、蓝光 LED、激光二极管以及超低漏电流器件等；和 Ga N、Al N 晶格失配低，适合于作为它们的衬底材料；其高击穿电场强度可以应用在高压大功率开关二极管、电力电子器件、IC 高密度封装以及空间应用的大功率器件等；其高导热率能提高器件的散热性能，同时也能提高器件的集成密度。