随着全球科学技术的快速发展，半导体技术正在蓬勃发展。

目前半导体是高新技术产业的基础材料之一，它的发展将会促进高速计算、通信、网络技术的发展进步，在科技、生产生活、国民经济和国防等领域占据了战略性的地位。

但是本征石墨烯没有带隙这一点限制了石墨烯[1]在逻辑电路中的应用，这促使研究人员去研究新的二维材料。

类石墨烯结构的层状过渡金属硫化物(TMDs)具有许多类似石墨烯的性质，除此之外还具有石墨烯没有的禁带宽度，在电子器件应用方面有许多优于石墨烯的特性，为二维半导体物理的实现提供了可能[2]。

二维二硫化钼是TMDs中最受关注的，有着类似于石墨烯的结构。

属于六方晶系，基本组成单元是过渡金属Mo原子层夹在两层六边形的S原子层之间，形成 S-Mo-S三明治夹层结构，层与层之间通过范德华力结合。

由于这种独特的结构，MoS2 已经被广泛应用于润滑中。

众所周知块体 MoS2 是禁带宽度为的1.23eV的n型半导体材料，层数的减小会减小MoS2的禁带宽度，电子跃迁方式也会逐渐从间接跃迁转变为直接跃迁。

MoS2 层数减少为单层时，能带结构转变为1.8eV的直接带隙，具有很高的发光效率，因此在光电领域很受青睐。

另一方面，这些独特的性能预示着 MoS2 可被广泛应用于具有高载流子迁移率和高电流开关比的场效应管、电致发光器件以及光探测器中[3]。