1. 研究目的与意义（文献综述包含参考文献）

文 献 综 述 1.前言 目前应用最广泛的半导体材料是 si，它的发展始于上世纪 50 年代，其器件的稳定性、抗辐射性的推动了集成电路电子工业以及 it 行业的快速发展。

第二代半导体材料砷化镓（ga as）等则从上世纪 90 年代开始发展，其感光性能比 si 等材料突出，对光电子领域的发展起到了重大作用，ga as 材料制造的发光二极管（led）以及激光器（ld）在光通讯与信息处理的方面取得了广泛的应用。

微电子和光电子技术的迅速发展得益于 si 以及 ga as 等第一代和第二代半导体材料的迅速发展，这两代半导体材料的物化性能具有局限性，限制了材料在器件上应用的上限。

2. 研究的基本内容、问题解决措施及方案

一、研究或解决的问题 1. 研究内容 (1) 退火温度对sic晶体电阻率的影响 (2) 退火时间对sic晶体电阻率的影响 (3) 退火对sic晶体中缺陷的影响以及缺陷和晶体电学性能的关系 2．预期目标： (1) 明确阐述退火温度、退火时间对sic晶体电阻率的影响。

(2) 通过实验分析得sic晶体中缺陷的影响以及缺陷和晶体电学性能的关系，并根据晶体缺陷产生的机理来解释退火对晶体电学性能的影响方式。

二、拟采用的研究手段（途径） 1．实验方案： 晶体缺陷分析 pvt 法晶体生长 si c 的过程包括气相形成、质量传输以及气相沉积三个环节，其中气相沉积是晶体生长最重要的环节。