层状Ta2NiS5的合成与热电输运特性文献综述
2020-04-29 20:05:55
文献综述 参考以往的文献,在Ta2NiS5的制备方法上,已有过尝试。
其一,通过多晶材料通过镍、钽、硫或硒(纯度分别为99.9%, 99.9%和99.999%)在密闭的空管中与过量的硫元素在850℃下反应七天制备得到。
单晶通过将元素在装有少量过量硫元素与100mg I2的石英管(外径18mm,长度20cm)内反应制备得到,然后将管放入温度梯度为950~850℃的炉内。
一周时间内单晶在冷却端(850℃)生长为尺寸为0.05mm#215;1 mm#215;10mm。
晶体的长轴与镍原子和钽原子链(a轴)平行,表观尺寸垂直于层平面(b轴)。
其二,通过将组合物Ta粉(99.9%),Ni粉( 99.9%)和S粉(99.999%)在真空硅胶管中混合而得到的(~10-5torr)并在650℃下加热7天。
随后发现,晶体在725-850℃的较高温度下更容易生长,略微过量的硫属元素(~1%)。
在这些条件下,在整个反应管中形成小的闪亮黑色针状物。
使用I2作为传输剂并结合温度梯度(875-800℃)可以获得更大的晶体。
两种方法才用了不同的温度制度,但是思路都是利用温度差借助I2气体传输制得纯相。
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