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缺陷对锡烯纳米带电子结构影响的第一性原理研究任务书

 2020-04-06 11:06:41  

1. 毕业设计(论文)主要内容:

与石墨烯相似,锡烯在制备或测试的过程中不可避免的会产生一些缺陷 ,例如空位缺陷(包括单原子空位缺陷和双原子空位缺陷)、 SW(Stone-Wales)拓扑缺陷、增原子缺陷和其他非拓扑结构缺陷等,本论文拟利用材料科学计算软件Materials Studio高效、合理的创建锡烯纳米带单空位缺陷硼烯、双空位缺陷烯(邻间对)等不同的模型研究缺陷对其电子结构的影响。

2. 毕业设计(论文)主要任务及要求

1.查阅不少于15篇的相关资料,其中英文文献不少于3篇,完成开题报告。

2、查找资料构建锡烯纳米带模型,优化模型并计算其能带结构、态密度等电学性能参数。验证结果的合理性。

3、构建含单空位缺陷和双空位缺陷的锡烯纳米带模型,研究其电学性能的变化,探讨空位缺陷的数量对硼烯电学性能的影响。。

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3. 毕业设计(论文)完成任务的计划与安排

第1-3周:查阅相关文献资料,明确研究内容,了解研究所需基本计算条件。确定方案,完成开题报告。

第4-6周:建模,查阅文献确定参数。

第7-13周:开始计算并根据计算情况调整计算参数,分析所得计算结果。

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4. 主要参考文献

1.曾绍红,李旭东.多晶体材料二维微观组织结构的计算机重构[j].兰州理工大学学报,2005,31(05):19-24

2.李震宇,贺伟,杨金龙.密度泛函理论及其数值方法新进展【j】. progress in chemistry. 2005,17: 2.

3.novoselov k s, geim a k, morozov s v, et al. two-dimensional gas of massless dirac fermions in graphene.[j]. nature, 2005, 438(7065):197.

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